【CNMO新聞】在半導(dǎo)體制造工藝中，光刻工序是非常重要的工序，目前，荷蘭ASML的光刻設(shè)備在市場上占壓倒性優(yōu)勢。CNMO了解到，據(jù)日本特許廳（專利廳）4月發(fā)布的申請動向調(diào)查“半導(dǎo)體光刻的前后處理技術(shù)”，不難發(fā)現(xiàn)日本在光刻設(shè)備上有著一定的優(yōu)勢，半導(dǎo)體制造設(shè)備在世界上也保持著較高存在感。

各個技術(shù)領(lǐng)域的申請數(shù)量（圖源日經(jīng)中文網(wǎng) 全文同）

半導(dǎo)體制造的前工序中，核心是光刻工序，根據(jù)以光刻設(shè)備燒制的電路圖切削基板、進(jìn)行布線，完成半導(dǎo)體芯片制造。調(diào)查數(shù)據(jù)顯示，半導(dǎo)體光刻的前后處理技術(shù)領(lǐng)域的申請最多，光刻膠的剝離、光刻膠周邊部分的清除技術(shù)數(shù)量超1.6萬項(xiàng)。

2006年-2018年申請者所屬國家和地區(qū)的變化

從2006年-2018年申請的專利來看，每年都是日本國籍的申請者占4成左右，數(shù)量最多。從累計(jì)數(shù)據(jù)來看，2006年-2018年申請的專利申請總數(shù)為4萬2646項(xiàng)申請，其中日本國籍的申請者申請了1萬8531項(xiàng)，占總數(shù)的43.5％，遠(yuǎn)超7000多項(xiàng)的韓國和美國。

半導(dǎo)體光刻的前后處理技術(shù)在主要國家和地區(qū)的專利申請情況

從地區(qū)看，2009年-2011年在日本進(jìn)行的申請最多，隨后呈下降趨勢。2012年在美國進(jìn)行的申請超過日本，之后美國持續(xù)登頂。從2006年-2018年累計(jì)數(shù)據(jù)來看，美國的申請為1萬678項(xiàng)，占整體的25.0％，其中32.1%來自日本的申請者。值得注意的是，在中國大陸的申請數(shù)量為6010項(xiàng)，其中大陸的申請者只有22.1%，未來，我國在這方面的技術(shù)還需加強(qiáng)。