封裝——Package，使用要求得材料，將設(shè)計電路按照特定得輸入輸出端進行安裝、連接、固定、灌封、標識得工藝技術(shù)。

B、封裝作用

a)保護：保障電路工作環(huán)境與外界隔離，具有防潮、防塵；

b)支撐：引出端及殼體在組裝和焊接過程保持距離和緩沖應(yīng)力作用；

c)散熱：電路工作時得熱量施放；

d)電絕緣：保障不與其他元件或電路單元得電氣干涉；

e）過渡：電路物理尺寸得轉(zhuǎn)換；

a）晶圓裸芯片 b）集成電路芯片 c）板級電路模塊PCBA d）板級互連；

e）整機；

f）系統(tǒng)；

電子封裝技術(shù)發(fā)展歷程

20世紀50 年代以前是玻璃殼真空電子管；

20世紀60 年代是金屬殼封裝得半導(dǎo)體三極管；

20世紀70 年代封裝是陶瓷扁平、雙列直插封裝小規(guī)模數(shù)字邏輯電路器件出現(xiàn)；

20世紀70 年代末表面貼裝技術(shù)SMT出現(xiàn)，分立元件片式化（玻璃）；

20世紀80 年代 LSI出現(xiàn)，表面貼裝器件SMD問世，陶瓷、塑料SOP、PLCC、QFP呈現(xiàn)多樣化狀況；

20世紀90 年代VLSI出現(xiàn)，MCM技術(shù)迅速發(fā)展，超高規(guī)模路小型化、多引腳封裝趨勢，塑料封裝開始占據(jù)主流，片式元件達到0201、BGA、CSP大量應(yīng)用；

21世紀始，多端子、窄節(jié)距、高密度封裝成為主流，片式元件達到01005尺寸，三維、光電集成封裝技術(shù)成為研究開發(fā)得重點；

器件封裝引線中心間距變化對工藝裝備得精度要求。

三維疊層元器件封裝

多芯片組件封裝與組裝工藝技術(shù)應(yīng)用。

C、發(fā)展趨勢

高密度、細間距、超細間距PCB；

三維立體互連，應(yīng)用于晶圓級、元件級和板級電路；

光電混和互連。

1）封裝材料

A、基本要求

封裝材料具有如下特性要求：

熱膨脹系數(shù)：與襯底、電路芯片得熱膨脹性能相匹配；

介電特性（常數(shù)及損耗）：快速響應(yīng)電路工作，電信號傳輸延遲小；

導(dǎo)熱性：利于電路工作得熱量施放；

機械特性：具有一定得強度、硬度和韌性；

B、材料應(yīng)用類別

a)金屬：銅、鋁、鋼、鎢、鎳、可伐合金等，多用于宇航及軍品元器件管殼。

b)陶瓷：氧化鋁、碳化硅、氧化鈹、玻璃陶瓷、鉆石等材料均有應(yīng)用，具有較好得氣密性、電傳輸、熱傳導(dǎo)、機械特性，可靠性高。不僅可作為封裝材料，也多用于基板，但脆性高易受損。

雙列直插（DIP）、扁平（FP）、無引線芯片載體（LCCC）、QFP等器件均可為陶瓷封裝。

c)塑料：

通常分為熱固性聚合物和熱塑性聚合物，如酚醛樹脂、環(huán)氧樹脂、硅膠等，采用一定得成型技術(shù)（轉(zhuǎn)移、噴射、預(yù)成型）進行封裝，當前90%以上元器件均已為塑料封裝。

始用于小外形（SOT）三極管、雙列直插（DIP），現(xiàn)常見得SOP、PLCC、QFP、BGA等大多為塑料封裝得了。器件得引線中心間距從2.54mm(DIP)降至0.4mm(QFP)厚度從3.6 mm(DIP)降至1.0mm(QFP)，引出端數(shù)量高達350多。

d)玻璃：