與傳統得Si相比，SiC有諸多優(yōu)勢。咱們來對比一下SiC和Si器件開關過程，以羅姆得SiC(型號SCU210AX)和東芝得Si(型號TK10A60D)為例，圖1是SiC實測得開關波形，圖2和圖3分別是SiC仿真得開關波形和開關損耗計算。

圖1是SiC實測得開關波形

圖2是SiC仿真得開關波形

圖3是SiC仿真得開關損耗計算

圖4是Si實測得開關波形，圖5和圖6分別是Si仿真得開關波形和開關損耗計算。

圖4是Si實測得開關波形

圖5是Si仿真得開關波形

圖6是Si仿真得開關損耗計算

圖7是仿真數據對比，SiC導通損耗大為減少，但開通和關斷損耗和Si器件基本一樣。

圖7是仿真數據對比

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